(1) 光陷阱結構 :一般高效單晶硅電池采用化學腐蝕制絨技術,制得絨面的反射率可達到10%以下。目前較為先進的制絨技術是反應等離子蝕刻技術(RIE),該技術的優(yōu)點是和晶硅的晶向無關,適用于較薄的硅片,通常使用SF6/O2混合氣體,在蝕刻過程中,F(xiàn)自由基對硅進行化學蝕刻形成可揮發(fā)的...  [詳內(nèi)文]
提高晶硅太陽能電池轉換效率的方法 |
作者 | 發(fā)布日期: 2018 年 05 月 15 日 17:48 | 分類: 行業(yè)知識 |