比利時(shí)納米電子研究中心IMEC宣布創(chuàng)下了基于6吋商用N型Cz-Si硅片的大面積N型PERT（鈍化發(fā)射極，背面完全擴(kuò)散）晶體硅太陽(yáng)能電池片的新轉(zhuǎn)換效率記錄，達(dá)22.02%。此新技術(shù)已在ISE校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室校準(zhǔn)，其開路電壓為684mV，短電路電流為39.9mA/cm2,填充因子達(dá)80.7%。

IMEC稱，其在太陽(yáng)能電池表面的前面使用激光摻雜的方法，改進(jìn)了開路電壓和短電路電流，由此而獲得新效率記錄。該電池技術(shù)使用西班牙梅科的工業(yè)電鍍工具，通過后鈍化堆棧然后金屬化的激光切除方法，使得該電池的鎳/銅/銀能正面接觸。此后鈍化堆棧包含一個(gè)?。?10nm）ALD沉積氧化鋁層。 IMEC的n-PRET技術(shù)平臺(tái)經(jīng)理Filip Duerinckx表示，此電池技術(shù)在實(shí)現(xiàn)新效率記錄的同時(shí)也簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程，如今僅需簡(jiǎn)單的清洗，而無(wú)需任何成本較高的氫氮混合氣體退火(FGA)流程，相信能在短時(shí)期內(nèi)把此技術(shù)帶進(jìn)市場(chǎng)。