比利時納米電子研究中心IMEC宣布創(chuàng)下了基于6吋商用N型Cz-Si硅片的大面積N型PERT（鈍化發(fā)射極，背面完全擴散）晶體硅太陽能電池片的新轉(zhuǎn)換效率記錄，達22.02%。此新技術(shù)已在ISE校準實驗室校準，其開路電壓為684mV，短電路電流為39.9mA/cm2,填充因子達80.7%。

IMEC稱，其在太陽能電池表面的前面使用激光摻雜的方法，改進了開路電壓和短電路電流，由此而獲得新效率記錄。該電池技術(shù)使用西班牙梅科的工業(yè)電鍍工具，通過后鈍化堆棧然后金屬化的激光切除方法，使得該電池的鎳/銅/銀能正面接觸。此后鈍化堆棧包含一個薄（<10nm）ALD沉積氧化鋁層。 IMEC的n-PRET技術(shù)平臺經(jīng)理Filip Duerinckx表示，此電池技術(shù)在實現(xiàn)新效率記錄的同時也簡化了生產(chǎn)流程，如今僅需簡單的清洗，而無需任何成本較高的氫氮混合氣體退火(FGA)流程，相信能在短時期內(nèi)把此技術(shù)帶進市場。