4月19日，保利協鑫在2017 SNEC國際太陽能產業(yè)及光伏工程展覽會上重磅發(fā)布新一代整錠單晶G3硅片產品。據介紹，該產品使用鑄錠技術生產單晶，具有“高產能、高效率、低成本、低光衰”等多重優(yōu)勢。來自多家電池組件企業(yè)的資料顯示，整錠單晶硅片G3在常規(guī)電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個百分點，同時在成本上有較大優(yōu)勢，對光伏的高效化、平價化發(fā)展意義重大，有望給傳統單晶技術帶來深刻變革。

鑄錠全單晶技術取得突破性進展

不同于采用直拉法制備的傳統單晶，新產品采用鑄錠技術，單次投料量更大，生產成本甚至優(yōu)于采用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。同時，由于整錠單晶硅片晶向一致，可使用堿制絨工藝，因此轉換效率非常接近直拉單晶產品，并可融合PERC等高效電池技術，帶來更高的產品效率。

據介紹，整錠單晶硅片G3基于保利協鑫最新的整錠全單晶技術平臺，單晶面積可達99%以上，顯著優(yōu)于“鑫單晶”前代產品和業(yè)界同類產品。資料顯示，批量生產的整錠單晶硅片G3在常規(guī)工藝下的電池轉換效率可達19.52%，在PERC電池工藝下可達20.85%，與同樣工藝的直拉單晶效率相差不超過0.5個百分點。與同樣邊長的直拉單晶硅片相比，整錠單晶硅片面積更大，組件封裝損失更小。普通電池工藝的G3硅片60片組件功率達到280-285瓦，應用PERC工藝可達295-300瓦。

不僅如此，G3硅片還繼承了鑄錠技術產品“光衰”較低的優(yōu)點，與常規(guī)多晶持平，顯著優(yōu)于傳統直拉單晶。對應用端來說，G3新產品同時實現了“高效率”、“低衰減”的雙重目標，實際效率更高。

完美融合多晶和單晶的產品優(yōu)勢

保利協鑫首席技術官萬躍鵬表示，整錠單晶硅片G3通過技術提升，將常規(guī)多晶的高產能、低光衰和低封裝損失，以及傳統直拉單晶的高轉換效率、低位元錯密度、匹配高效電池技術等優(yōu)勢融為一體，未來有望成為最具競爭力的高效光伏產品。

一直以來，光伏企業(yè)采用鑄錠技術生產多晶、采用直拉法生產單晶。但據萬躍鵬介紹，無論是鑄錠技術還是直拉技術，都可以生產單晶或者多晶。保利協鑫“鑫單晶”創(chuàng)造性地采用鑄錠技術路線生產單晶，融合了單晶完美的晶體結構和表面特性、多晶的低成本等優(yōu)勢。而且，鑄錠“鑫單晶”硅片更容易擴大尺寸，未來可根據客戶定制需求拓展硅片面積并進行標準化生產。資料顯示，邊長157.75mm的“鑫單晶”硅片較之156mm的常規(guī)硅片，有效面積增加5.51%，在單位轉換效率不變的情況下，60片元件功率可因此提升6.1瓦。

阿特斯、天合光能、晶澳太陽能、臺灣茂迪、晉能科技、通威太陽能等業(yè)界領先的光伏企業(yè)代表參加了G3新品發(fā)布會。茂迪股份董事長兼執(zhí)行長張秉衡講話表示，今年由于政策的原因導致單晶產品供應失衡，給業(yè)者造成了很大困擾，有大量新建的單晶電池、組件投資卻買不到硅片。保利協鑫多年來持續(xù)研發(fā)整錠單晶硅片產品，為單晶提供了更具競爭力的技術路線，為產業(yè)發(fā)展做出了實實在在的貢獻。晉能科技總經理楊立友表示，整錠單晶產品帶來了轉換效率的“質”的變化，相信在中國強大的光伏產業(yè)鏈的支撐下，鑄錠單晶技術在未來將有很大的發(fā)展空間。

保利協鑫總裁朱戰(zhàn)軍表示，整錠單晶硅片G3是對常規(guī)多晶和傳統直拉單晶產品的推陳出新，不但完美解決了多晶、單晶長期以來的技術爭論，還可以滿足客戶對效率、價格、品質的多重需求。通過技術進步和產品創(chuàng)新，保利協鑫將不斷降本增效，以硅片技術進步為杠桿，撬動電池、元件及整個光伏系統成本的持續(xù)下降，為光伏平價上網增加助力。