中國國家能源局正式下發(fā)了《關(guān)于2017年建設(shè)光伏發(fā)電先進技術(shù)應(yīng)用基地有關(guān)要求的通知》之征求意見稿（下稱《意見稿》），針對2017年的第三批領(lǐng)跑者計劃制定了8~10GW的規(guī)模目標，以及單、多晶組件轉(zhuǎn)換效率18%與17%的新門檻。EnergyTrend分析師指出，這將引發(fā)新一波單多晶PERC的產(chǎn)能大戰(zhàn)。
第三波領(lǐng)跑者規(guī)范
《意見稿》指出，2017年領(lǐng)跑者計劃光伏發(fā)電先進技術(shù)應(yīng)用基地包括：(1) 光伏發(fā)電領(lǐng)跑技術(shù)基地，以及(2) 光伏發(fā)電前沿技術(shù)應(yīng)用依托基地，規(guī)模目標為8~10GW，每個專案項目不小于500MW、不超過1GW。每個省（市、區(qū)）最多可申報3個基地、規(guī)模不超過2GW。此外，2016年光伏發(fā)電為達到最低保障小時數(shù)的地區(qū)不得申請；已建成而未驗收且仍有基地正在建設(shè)當(dāng)中的區(qū)域，也不安排新建基地。
其中，“光伏發(fā)電前沿技術(shù)應(yīng)用依托基地”每個專案項目為500MW，首年建成規(guī)模不小于建設(shè)總規(guī)模的10%、不高于30%；須于三年內(nèi)全部建成。不過，《意見稿》并未明確指出是指當(dāng)年的領(lǐng)跑者計劃比例或是所有類型光伏專案之比例。
2017年光伏領(lǐng)跑者規(guī)范的效率與瓦數(shù)門檻如下：
2017年領(lǐng)跑者計劃專案項目分配將一律采取競標制度，且競標規(guī)范統(tǒng)一。光伏發(fā)電領(lǐng)跑技術(shù)基地之投資企業(yè)評選分成五個項目：投資能力（10分）、已并網(wǎng)之光伏專案的業(yè)績水準（25分）、技術(shù)與產(chǎn)業(yè)先進性（15分）、技術(shù)方案（15分）、價格水準（35分）。
光伏發(fā)電前沿技術(shù)應(yīng)用依托基地的企業(yè)評選標準項目與配分為：投資能力（10分）、已并網(wǎng)之光伏專案的業(yè)績水準（10分）、技術(shù)與產(chǎn)業(yè)先進性（40分）、技術(shù)方案（10分）、價格水準（30分）。而技術(shù)與產(chǎn)業(yè)先進性又細分為：先進技術(shù)指標（10分）、前沿技術(shù)產(chǎn)品業(yè)績（5分）、核心技術(shù)專利（15分）、技術(shù)管理能力先進性（10分）
單多晶大戰(zhàn)將白熱化
EnergyTrend分析師蔡篤慰指出，2017年領(lǐng)跑者門檻可透過PERC技術(shù)或MBB技術(shù)來滿足；但MBB技術(shù)目前沒有可靠成熟的產(chǎn)能，因此PERC仍將是主要采行的技術(shù)。根據(jù)EnergyTrend的調(diào)研數(shù)據(jù)庫，全球PERC產(chǎn)能到今年年底時將擴產(chǎn)至25GW，其中只有3GW是多晶PERC。不過，PERC機臺單轉(zhuǎn)多的工藝轉(zhuǎn)換并不困難，因此若下游有需要，業(yè)者仍可依照需求來轉(zhuǎn)換單多晶PERC。
蔡篤慰分析，關(guān)鍵在于領(lǐng)跑者計劃的投標廠商對于多晶的采用意愿有多高。他表示：“今年已經(jīng)出現(xiàn)單晶硅片供貨不及的現(xiàn)象，雖然到今年底單晶硅片最高可擴產(chǎn)到20GW，但因搶裝潮前訂單集中，即便明年仍會有供不應(yīng)求的問題；考量到這個狀況，業(yè)者可能會傾向混搭單、多晶組件來投標。”
如此一來，多晶在前兩批領(lǐng)跑者計畫中的弱勢可望有所改變。加上多晶PERC搭配黑硅之后，可滿足領(lǐng)跑者門檻、又可帶來較好的利潤，這個方案將可望在2017年的領(lǐng)跑者計畫中分一杯羹。
蔡篤慰表示：“PERC技術(shù)逐步成熟，可用性提高，因此最重要的是下游的需求。當(dāng)下游需求開出，將能刺激上游PERC技術(shù)進展，整體CP值會更好?！?/p>
針對《意見稿》中的兩種領(lǐng)跑者計劃，蔡篤慰將“前沿技術(shù)應(yīng)用依托基地”解釋為先前業(yè)界盛傳的“超級領(lǐng)跑者”。從《意見稿》所推出的兩類領(lǐng)跑者之競標機制來看，第一類領(lǐng)跑者并未將“技術(shù)門檻”列入必要條件，業(yè)者可放棄先進技術(shù)指標的評分，另外在“價格水準”項目取得較高的分數(shù)，借此贏得領(lǐng)跑者計劃專案。這將為價格較具優(yōu)勢的多晶黑硅帶來機會。
另一方面，“超級領(lǐng)跑者”必須滿足技術(shù)門檻，因此單、多晶PERC在這個項目上也會產(chǎn)生激烈的競爭。
