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新奇納米結(jié)構(gòu)將降低薄膜太陽(yáng)能成本

作者: | 發(fā)布日期: 2011 年 11 月 03 日 10:10 | 分類: 產(chǎn)業(yè)資訊

新加坡科學(xué)家將一個(gè)新奇的納米結(jié)構(gòu)置于非結(jié)晶硅制成的太陽(yáng)能電池的表面,研制出了一種轉(zhuǎn)換效率高、成本低的新型薄膜太陽(yáng)能電池??茖W(xué)家們認(rèn)為,最新技術(shù)有望將太陽(yáng)能電池的制造成本減半。

目前太陽(yáng)能電池一般都由高品質(zhì)的硅晶體制成,因此,大大提高了其制造成本,限制了太陽(yáng)能電池在全球大規(guī)模的應(yīng)用。南洋理工大學(xué)(NTU)和新加坡微電子研究院(IME)的科學(xué)家制造出的這種新的薄膜硅太陽(yáng)能電池則解決了這個(gè)問(wèn)題。

科學(xué)家們使用納米技術(shù)在非結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池表面制造出了一種獨(dú)特的納米結(jié)構(gòu),改進(jìn)了這種薄膜硅電池的轉(zhuǎn)換效率,增加了能源輸出。該研究專案的領(lǐng)導(dǎo)者、新加坡微電子研究院高級(jí)研究員納瓦·辛表示:“新的納米方法讓這種薄膜太陽(yáng)能電池獲得了有史以來(lái)最高的短路電流密度以及5.26%的轉(zhuǎn)換效率?!?/p>

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