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臺(tái)積太陽(yáng)能計(jì)劃明年CIGS光伏組件最佳轉(zhuǎn)換率提升至17%

作者: | 發(fā)布日期: 2013 年 07 月 24 日 8:57 | 分類: 產(chǎn)業(yè)資訊

臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電持股近100%的薄膜太陽(yáng)能子公司臺(tái)積太陽(yáng)能,專攻CIGS薄膜太陽(yáng)能組件,于今年6月生產(chǎn)出商用規(guī)格(面積1.09平方米)的CIGS冠軍組件,轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.7%,而公司計(jì)劃在2014年,整片組件的最佳轉(zhuǎn)換效率可進(jìn)一步提升至17%,而平均組件轉(zhuǎn)換效率則能達(dá)到16%。

臺(tái)積太陽(yáng)能技術(shù)開發(fā)處長(zhǎng)李文欽指出,CIGS相較于傳統(tǒng)的單/多晶硅(Crystal Silicon),無論是在轉(zhuǎn)換效率、成本、或者在陽(yáng)光曝曬下所造成的升溫效果,都具備一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。而由目前晶硅組件轉(zhuǎn)換效率約15%、即使單晶硅產(chǎn)品轉(zhuǎn)換率也僅16%來看,CIGS可說很有優(yōu)勢(shì),且這還沒有考慮到CIGS在工藝上較為簡(jiǎn)化,以及相對(duì)輕薄的優(yōu)點(diǎn)(晶硅的厚度約為幾十微米,CIGS僅約3~4微米)。

此外,他也說明,光伏組件太陽(yáng)能組件在日光下曝曬會(huì)導(dǎo)致生熱,而組件本身溫度升高,對(duì)本身的發(fā)電不利。他引述研調(diào)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)指出,晶硅在太陽(yáng)下曝曬,每升高攝氏一度就會(huì)增加0.45%的發(fā)電效率流失,不過CIGS則約僅有0.3%的流失,相較之下亦具備優(yōu)勢(shì)。

他還指出,臺(tái)積于2010年6月向美國(guó)CIGS廠Stion取得技術(shù)專利授權(quán),并于同年9月即在中科建立太陽(yáng)能產(chǎn)線,而臺(tái)積太陽(yáng)能則是于2011年正式從臺(tái)積的一個(gè)新事業(yè)部獨(dú)立出來,成為其幾乎100%持股的子公司,并于2011年3月正式有CIGS太陽(yáng)能組件產(chǎn)品的產(chǎn)出。

李文欽強(qiáng)調(diào),臺(tái)積太陽(yáng)能的CIGS組件已經(jīng)連續(xù)4個(gè)月達(dá)到95%的生產(chǎn)良率。而臺(tái)積太陽(yáng)能目前的年產(chǎn)能約為20~30 megawatts,而目前廠房總產(chǎn)能若透過一些去瓶頸化的工作,年產(chǎn)能最高將能達(dá)到700~800 megawatts之多,顯示臺(tái)積太陽(yáng)能相當(dāng)看好未來CIGS組件的成長(zhǎng)潛力。

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