臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電持股近100%的薄膜太陽(yáng)能子公司臺(tái)積太陽(yáng)能，專攻CIGS薄膜太陽(yáng)能組件，于今年6月生產(chǎn)出商用規(guī)格(面積1.09平方米)的CIGS冠軍組件，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.7%，而公司計(jì)劃在2014年，整片組件的最佳轉(zhuǎn)換效率可進(jìn)一步提升至17%，而平均組件轉(zhuǎn)換效率則能達(dá)到16%。

臺(tái)積太陽(yáng)能技術(shù)開發(fā)處長(zhǎng)李文欽指出，CIGS相較于傳統(tǒng)的單/多晶硅(Crystal Silicon)，無論是在轉(zhuǎn)換效率、成本、或者在陽(yáng)光曝曬下所造成的升溫效果，都具備一定競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。而由目前晶硅組件轉(zhuǎn)換效率約15%、即使單晶硅產(chǎn)品轉(zhuǎn)換率也僅16%來看，CIGS可說很有優(yōu)勢(shì)，且這還沒有考慮到CIGS在工藝上較為簡(jiǎn)化，以及相對(duì)輕薄的優(yōu)點(diǎn)(晶硅的厚度約為幾十微米，CIGS僅約3~4微米)。

此外，他也說明，光伏組件太陽(yáng)能組件在日光下曝曬會(huì)導(dǎo)致生熱，而組件本身溫度升高，對(duì)本身的發(fā)電不利。他引述研調(diào)機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)指出，晶硅在太陽(yáng)下曝曬，每升高攝氏一度就會(huì)增加0.45%的發(fā)電效率流失，不過CIGS則約僅有0.3%的流失，相較之下亦具備優(yōu)勢(shì)。

他還指出，臺(tái)積于2010年6月向美國(guó)CIGS廠Stion取得技術(shù)專利授權(quán)，并于同年9月即在中科建立太陽(yáng)能產(chǎn)線，而臺(tái)積太陽(yáng)能則是于2011年正式從臺(tái)積的一個(gè)新事業(yè)部獨(dú)立出來，成為其幾乎100%持股的子公司，并于2011年3月正式有CIGS太陽(yáng)能組件產(chǎn)品的產(chǎn)出。

李文欽強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積太陽(yáng)能的CIGS組件已經(jīng)連續(xù)4個(gè)月達(dá)到95%的生產(chǎn)良率。而臺(tái)積太陽(yáng)能目前的年產(chǎn)能約為20~30 megawatts，而目前廠房總產(chǎn)能若透過一些去瓶頸化的工作，年產(chǎn)能最高將能達(dá)到700~800 megawatts之多，顯示臺(tái)積太陽(yáng)能相當(dāng)看好未來CIGS組件的成長(zhǎng)潛力。