意法半導體推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應用帶來技術優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅動器、電源以及智慧電網設備。
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意法半導體這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產品系列，具有小于290m?的導通電組（RDS(ON)）及高達200°C的最大工作接面溫度等諸多特性優(yōu)勢；其高度穩(wěn)定的關機能源（Eoff）與閘極電荷（Qg）可使開關性能在整個工作溫度范圍內表現始終如一。最終的低導通和切換損耗結合超低漏電流將有助于簡化熱管理設計，并最大幅度地提高可靠性。
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除更低的電能耗損外，意法半導體的碳化硅MOSFET的開關頻率較同等級的硅絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）高出三倍，SCT20N120的耐高溫特性可大幅簡化電源組件、電動汽車等應用的冷卻／散熱系統(tǒng)（cooling-system）設計。它還采用意法半導體獨有的HiP247?封裝，其更高的熱效率可使管線在最大工作溫度高達200°C時，依然能夠維持與TO-247工業(yè)標準功率封裝外型相容。