4月21日，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)（Delft University of Technology）與日本北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)宣布，其開發(fā)出了在紙上“印刷”多晶硅層的技術(shù)，相關(guān)論文發(fā)表在了學(xué)術(shù)期刊《應(yīng)用物理快報(bào)》（Applied Physics Letters）上。
?
此次開發(fā)的印刷方法是：（1）在沒有氧氣和水分的環(huán)境下，將“硅墨水”涂布到加熱至80℃的基板上，硅墨水是將環(huán)戊硅烷（CPS，氫鍵合在硅的5節(jié)環(huán)上而形成）溶解在溶劑中制成的；（2）在溫度為100℃的環(huán)境下，照射波長(zhǎng)為365nm的紫外線（UV），然后使CPS聚合形成聚硅烷；（3）向聚硅烷層照射數(shù)十納米的準(zhǔn)分子鐳射，變成多晶硅。上述包括TFT形成過程在內(nèi)的程式的工藝溫度不會(huì)超過150℃，可利用更多的柔性基板。
?
利用這項(xiàng)技術(shù)制作的TFT的載流子遷移率最大為23.5cm2/Vs。在按照這種方法制作的TFT中，只照射一次較高能量鐳射制作的NMOS的載流子遷移率為2.6cm2/Vs、PMOS的載流子遷移率為3.9cm2/Vs。通過反復(fù)照射多次較弱鐳射制成的NMOS的載流子遷移率為21.0cm2/Vs，PMOS的載流子遷移率為23.5cm2/Vs。
?
通過一次照射制作的NMOS和PMOS的電流導(dǎo)通截止比在104以上，而通過多次照射制作的NMOS和PMOS的電流導(dǎo)通截止比則較低，分別在103、102以上。