美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq: MSCC)為致力于建立智能、安全、網(wǎng)路世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商，宣布其太陽(yáng)能技術(shù)產(chǎn)品組合現(xiàn)已就緒。美高森美的再生能源應(yīng)用產(chǎn)品包括SmartFusion?和IGLOO? FPGA；旁路二極體/開(kāi)關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT等類(lèi)比、混合訊號(hào)元件；DC-DC轉(zhuǎn)換器、以及脈沖寬度調(diào)變(PWM)模組。此完備的產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)電源採(cǎi)集(power harvesting)、電源管理、電源交換、以及電源監(jiān)測(cè)等各類(lèi)太陽(yáng)光電(PV)應(yīng)用的高效、可靠、和具成本效益建置。

美高森美 SoC部門(mén)總經(jīng)理暨業(yè)務(wù)和行銷(xiāo)執(zhí)行副總裁Russ Garcia表示：「PV設(shè)計(jì)人員正致力于跟上持續(xù)的創(chuàng)新需求，并同時(shí)得滿足太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)對(duì)成本與效能的壓力，因此取得最新技術(shù)是至關(guān)重要的。 Microsemi完整技術(shù)組合的問(wèn)世，包括從可程式元件和標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)貨零件，到完全自訂的ASIC，是太陽(yáng)光電應(yīng)用設(shè)計(jì)人員的重要策略伙伴，以共享其技術(shù)和業(yè)務(wù)目標(biāo)?！?/p>

美高森美已有數(shù)十年提供創(chuàng)新和高可靠度元件的經(jīng)驗(yàn)，以及長(zhǎng)期的產(chǎn)品週期供應(yīng)。靈活性、安全性、成本效益一直是該公司的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，以期為日益成長(zhǎng)的PV應(yīng)用設(shè)計(jì)社群提供可將產(chǎn)品快速推向市場(chǎng)的所需技術(shù)。

電源採(cǎi)集用的太陽(yáng)能旁路二極體

LX2400 IDEAL?太陽(yáng)能旁路元件具備Microsemi的專(zhuān)利CoolRUN?技術(shù)，可作為PV模組應(yīng)用中的旁路路徑。具有業(yè)界最低的順向電壓降，因此運(yùn)作期間的熱量產(chǎn)生和溫度升高可小至忽略不計(jì)。LX2400具同類(lèi)最佳的可靠度和強(qiáng)韌性，可透過(guò)太陽(yáng)能模組的接線盒(junction box)，用于需要10安培電流或以上的應(yīng)用。

美高森美的新款蕭特基PV旁路二極體的高度僅0.74 mm，為業(yè)界最薄，客戶可將其整合在玻璃之下，無(wú)需使用接線盒。此外，此超薄尺寸還能用來(lái)縮小接線盒的大小。10安培的SFDS系列二極體是專(zhuān)為太陽(yáng)能板所設(shè)計(jì)，采用獨(dú)特的撓性銅導(dǎo)線封裝，可提供通過(guò)衛(wèi)星驗(yàn)證的可靠性。

除了獨(dú)特的封裝方式，美高森美亦可提供軸向、表面黏著、和通孔元件等各種蕭特基旁路二極體。標(biāo)準(zhǔn)電流范圍為10 A至18 A，電壓范圍為從20 V至45 V，但利用此元件設(shè)計(jì)并建置出最高為60A和200V的自訂元件亦是有可能的。

電源管理和控制用的SmartFusion與IGLOO FPGA

Microsemi SmartFusion混合訊號(hào)FPGA和IGLOO低功率FPGA中采用的快閃工藝架構(gòu)，是協(xié)助變頻器設(shè)計(jì)人員在較小佔(zhàn)位面積中最大化效率和板級(jí)功能性整合的理想方案。數(shù)量日益增加的PWM狀態(tài)機(jī)、最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)、和功率因數(shù)校正(PFC)等功能和演算法能在嵌入式32位元ARM? Cortex?-M3處理器或邏輯閘中分開(kāi)設(shè)計(jì)，以符合個(gè)別設(shè)計(jì)人員的需求。

電源交換用IGBT、MOSFET、FRED和DC-DC轉(zhuǎn)換器

新款600V CoolMOS? C6元件采用第五代高壓超接面(super junction)技術(shù)，具超低傳導(dǎo)和交換損失，可讓交換系統(tǒng)設(shè)計(jì)達(dá)到新的效率和電源密度等級(jí)。

新款MOS 8? IGBT採(cǎi)低頻操作(10 KHz — 30 KHz)最佳化設(shè)計(jì)，適用于傳導(dǎo)損失大于整體系統(tǒng)損失的情況。MOS 8 PT IGBT產(chǎn)品組合在2.0 V (600 VBR(CES))和2.5 V (900 VBR(CES))可提供低傳導(dǎo)損失。

除了其他的功率半導(dǎo)體元件，美高森美亦能以廣泛的電源模組電氣和機(jī)械配置提供IGBT、MOSFET和FRED，有助于建置新款和更高效的轉(zhuǎn)換器拓樸，諸如三階變頻器、交錯(cuò)式PFC升壓轉(zhuǎn)換器、和矩陣轉(zhuǎn)換器。

此外，美高森美日益成長(zhǎng)的DC-到-DC產(chǎn)品系列最高可支援40 V輸入電壓，以及最高為40安培的大范圍電流輸出。此產(chǎn)品系列包括切換式電壓調(diào)整器，具內(nèi)建功率FET以及采用外部功率FET的控制器，操作頻率最高為2 MHz。

電源監(jiān)測(cè)用FPGA

SmartFusion智慧型混合訊號(hào)FPGA在單一IC平臺(tái)中整合了一個(gè)類(lèi)比前端、嵌入式ARM Cortex-M3處理器、以及可程式邏輯架構(gòu)。此靈活性可為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)開(kāi)發(fā)低功率、可適應(yīng)式平臺(tái)的能力，以正確執(zhí)行即時(shí)負(fù)載數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)，并處理各種的安全連接協(xié)定。