基于單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢(shì)，金剛線(xiàn)切割單晶硅片已基本取代傳統(tǒng)的砂漿切割工藝，大幅增強(qiáng)了單晶硅片的成本競(jìng)爭(zhēng)力，2016年單晶硅太陽(yáng)電池市場(chǎng)份額回升至25%以上。在此背景下，多晶硅行業(yè)也正在努力推進(jìn)從砂漿切割工藝到金剛線(xiàn)切割的升級(jí)換代。

金剛線(xiàn)切割多晶硅片主要面臨斷線(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)和制絨困難兩大問(wèn)題。金剛線(xiàn)制備與應(yīng)用技術(shù)的優(yōu)化可以有效降低金剛線(xiàn)切多晶硅時(shí)鑄錠晶體硬點(diǎn)導(dǎo)致的斷線(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)。而制絨添加劑技術(shù)、黑硅技術(shù)或預(yù)處理技術(shù)則可以解決金剛線(xiàn)切割的多晶硅片反射率高，制絨困難的問(wèn)題。

金剛線(xiàn)切割多晶制絨添加劑技術(shù)不改變?cè)性O(shè)備，增加專(zhuān)用添加劑，降低反射率至接近常規(guī)。而黑硅技術(shù)則可以?xún)?yōu)化陷光效果，提高多晶太陽(yáng)電池效率。黑硅技術(shù)分為干法黑硅與濕法黑硅兩種技術(shù)路線(xiàn)，各具優(yōu)勢(shì)，都已實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)，并可進(jìn)一步升級(jí)優(yōu)化。

金剛線(xiàn)切割多晶硅片和黑硅技術(shù)的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距，而黑硅與PERC、SE和MWT等技術(shù)的組合可以進(jìn)一步提升多晶電池的量產(chǎn)效率，增強(qiáng)多晶硅太陽(yáng)電池路線(xiàn)的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)光伏市場(chǎng)對(duì)電池及元件成本降低和效率提升的持續(xù)要求，將為金剛線(xiàn)切割和黑硅技術(shù)帶來(lái)良好的市場(chǎng)機(jī)遇。

由賀利氏光伏黃金贊助的第二屆金剛線(xiàn)切割與黑硅技術(shù)論壇將于2017年9月18-19日在江蘇常州召開(kāi)。來(lái)自保利協(xié)鑫、阿特斯、晶科、晶澳、協(xié)鑫集成、賀利氏、蘇美達(dá)、榮德、中利騰暉、中節(jié)能、深圳首騁、蘇州捷得寶/微鉆石線(xiàn)材、銳眾環(huán)保、1366、匡宇科技、中科院微電子所等的專(zhuān)家將做大會(huì)報(bào)告，探討金剛線(xiàn)切多晶及黑硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展。

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